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Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / Hai Li, Yiran Chen
Tipo de material:
TextoEditor: Boca Raton : CRC Press/Taylor & Francis Group, c2012Descripción: xiv, 189 páginas : ilustracionesTipo de contenido: texto Tipo de medio: sin medio Tipo de portador: volumenISBN: 9781439807453 (encuadernado : papel alcalino); 1439807450 (encuadernado : papel alcalino)Tema(s): Dispositivos de almacenamiento para semiconductores | Memoria magnética (Computadoras) | Memorias flash | Cambio de estado (Física) -- Industrial applicationsClasificación CDD: 004.568 Clasificación LoC:TK7895.M4 | L34
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | Clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras | Reserva de ítems |
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Libros
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Libros Libros | General | TK7895.M4 L34 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 195456 | ||
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